第二百一十二章 请先生赴死！（3 / 8）

现在的路径一共四大阵营，尼康占主导的157nm激光、因特尔bmd摩托骡拉联合的13.5nmeuvllc、nec托西巴ntt和ibm联合的1nm接近式x光、朗讯贝尔实验室高的0.004nmepl和0.00005nmipl。

后面两个算是浪漫阵营，纯理论研究，他们就没想过产业化的事情。

而euv太超前，短期内根本无法实现。

我个人还是更看好尼康的干式157nm技术路径。”

卿云笑了，他懒得和程进扯什么科学英雄史观的问题，更没兴趣和他聊技术路径路径，开口说道，

“荷兰的asml正在和林本坚一起共同攻坚浸入式光刻技术。”

程进闻言摇了摇头，“没用的，浸入式通过水滴折射确实可以跳过157nm，直接做到134nm波长，而后就会被65nm的最高生产分辨率给卡住，到时候怎么办？

小卿，光刻是要遵循瑞利公式的，λ为光源波长、na为数值孔径、k为光刻工艺系数，三者共同决定投影式光刻机分辨率cd。

光刻机的分辨率与光源波长成正比，想要制造出更小的尺寸，就需要缩短光源的波长，这也是光刻机世代演变的核心。

所以，你不管怎么折射，最终还是要通过光源的波长来解决问题。”

熟知后事的卿云很清楚，程进说的是对的。

浸入式、浸没式、浸润式，其光源都是193nm激光器，随后是根据瑞利公式的另一个参数：孔径，来实现精度的提高。

再之后，便是二次曝光技术，同样是基于193nm的光源。

而最终，在duv后，asml还是走了波长13.5nm的euv路径。

但那是十来年后的事情了。

彼时的asml已经一家独大，它的领先优势可以随意切换赛道，但此时的光刻机市场却并非如此。

此时还是群雄混战时期，谁先突破，便是赢家通吃。

asml与尼康佳能的光刻机之战，其实是一个弱者在走投无路之下，抱着‘光脚的不怕穿鞋的’的赌命心态进行绝地突围的故事。

asml能赢，并不在于林本坚的技术有多先进，而是在于林本坚给出了一个商业友好性极强的工艺方案。

在asml推出浸入式193nm产品的半年后，尼康也宣布自己的157nm产品以及epl产品样机完成。

然而，林本坚的浸入式属于小改进大效果，产品成熟度非常高，所以几乎没有人去订尼康的新品。

而半导体产品就是这样的特点，市场说了算。