第438章 光刻机项目：另辟蹊径（2 / 6）

技术参数：

1最小线宽：小于1nm

2加速电压：5-5kv

3电子束直径：小于5nm

4套刻精度：1nm(mean+2σ)

5拼接精度：1nm(mean+2σ)

6加工晶圆尺寸：4-18英寸

7描电镜分辨率：小于2nm

主要特点：

1采用超高亮度和超高稳定性的tfe电子枪；

2出色的电子束偏转控制技术；

3采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率可达2nm；

4采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达2mrad；

5应用领域广泛，如微纳器件加工，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等，高频电子器件中的混合光刻，图形线宽和图形位移测量等。

……

需要成就点：3点！

……

沐阳大概看了下简介，光从技术参数上就看出它的先进性。

还有更加先进的光刻机，但是，以星海集团目前的条件，买了也造不出来，而且需要的成就点非常多。

这个ebl1号称可以制造1nm以下的芯片，但量产成本会比较高。

因此，当前的情况，星海集团可以从7nm芯片工艺开始，可以保证在218年之前保持在世界第一地位。

等竞争对手可以批量搞7nm芯片了，星海集团再推出5nm或3nm芯片。