350.第330章 320：光刻机进入最后测试环节（3 / 5）

效率不够完全看用数量来凑，1台一小时可以生产12片，10台一小时就可以生产120片。

一台duv光刻机售价可是高达几千万软妹币，10台x光射线光刻机只要580万软妹币。

可以说x光射线光刻机除了效率以外其他方面完胜现有d

uv光刻机，只是euv光刻机都没有办法跟x光射线光刻机相比。

x光射线光刻机最牛的地方就是它的升级迭代十分简单，后续只需要升级现有的激光头就可以了，升级一台设备的成本不到10万软妹币。

虽然说x光射线光刻机只需要升级激光头就可以，但是x光射线光刻机激光头制作十分复杂，但是激光头的研发成本可不比duv光刻机研发成本低。

x光射线光刻机只是量产以后制作成本比较低而已。

5分钟后一片晶圆从光刻机仓内传送出来，不过韩琛等人并未急着去动它，想要知道光刻机是否有问题，还需要更多的样本来检测才行。

转眼一个小时过去。

x光射线光刻机成功将12片晶圆送出光刻机舱体。

“段振元，将这些晶圆送去刻蚀吧，等结果出来以后告诉我。”韩琛说道。

“好的，韩总。”段振元回道。

虽然光刻机已经将电路刻在晶圆片上，但是后面还有许多流程等着。

比如刻蚀，刻蚀需要用液体、气体或等离子体等方法去除氧化层上多余的部分，只留下光刻图案所覆盖的部分。刻蚀过程通常分为湿法刻蚀和干法刻蚀，前者使用特定的化学溶液进行化学反应，后者使用气体或等离子体进行物理或化学反应。

下一个步骤则是离子注入，离子注入需要用高能的离子束将掺杂物注入晶圆中的特定区域，从而改变其导电性质。离子注入过程可以控制晶体管的类型、大小和性能。

这几个步骤前段生产环节而已，完成前段生产环节还要做后段生产，后段生产环节需要沉积、光刻、刻蚀、填充。

沉积需要在晶圆表面沉积一层绝缘材料，称为“介电层”。介电层可以防止金属线之间的电流干扰和串扰。沉积过程通常是利用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积等方法，在晶圆表面形成一层均匀且无缺陷的薄膜。

光刻需要重复前段生产中的光刻过程，在介电层上涂覆光刻胶，并用掩模和光源进行曝光，从而在介电层上留下所需的图案。

刻蚀需要重复前段生产中的刻蚀过程，去除介电层上多余的部分，只留下光刻图案所覆盖的部分。这样就在介电层上形成了一些孔洞，称为“通孔”或“接触孔”。